1、课题简介：
突破国产3D封装技术瓶颈，助力AI芯片/自动驾驶芯片性能提升
筛选可国产替代的封装材料设备（键合机/中介层），降低供应链风险
2、课题背景：
三维集成封装（如3D IC、Chiplet异构集成）通过TSV/TGV垂直互连、混合键合等技术实现芯片堆叠，成为突破摩尔定律瓶颈的核心路径。然而，该技术面临热管理、可靠性测试、供应链国产化等挑战。
· 散热瓶颈：高密度堆叠导致热流密度激增，传统风冷方案已无法满足需求（如HBM堆叠功耗超10W/mm²）；
· 国产化短板：TSV设备、键合材料等关键环节依赖进口（如国产键合机精度仅达5μm vs 国际1μm水平）；
· 测试复杂度：3D IC的缺陷检测需开发新型计量方法（如键合界面纳米级空隙定位）。
3、学生所需承担工作：
实验设计与执行、微观表征与数据分析、产学研对接：
4、完成课题所需时间：6-11月